東芝推出全球首款注148層3D堆疊式結(jié)構(gòu)閃存注2，該閃存容量達到256Gb（32GB），同時采用了行業(yè)領(lǐng)先的三階存儲單元（TLC）技術(shù)。這款全新閃存適用于各種產(chǎn)品應(yīng)用，包括消費級固態(tài)硬盤(SSD)、智能手機、平板電腦和內(nèi)存卡以及面向數(shù)據(jù)中心的企業(yè)級SSD。據(jù)悉，樣品將于9月開始發(fā)貨。
東芝全球首款全球首款256Gb、48層堆疊閃存BiCS FLASH™
東芝BiCS FLASH™采用目前世界最尖端的48層堆疊工藝，超越主流2D NAND閃存的容量，同時提高了可寫入/擦除次數(shù)及可靠性，并提高了寫入速度。
自2007年在全球首次推出了3D堆疊式結(jié)構(gòu)閃存以來注3，東芝一直致力于優(yōu)化大批量生產(chǎn)的研發(fā)。為更好地滿足快速增長的閃存市場需求，東芝將瞄準(zhǔn)大容量、小型化的應(yīng)用領(lǐng)域，積極推動3D堆疊式結(jié)構(gòu)閃存，推出SSD等產(chǎn)品組合。
東芝于1987年在世界上最早開發(fā)出NAND閃存，作為閃存世界的締造者，一直秉承專業(yè)的精神，為消費者提供高速、優(yōu)質(zhì)的專業(yè)閃存體驗。目前，這一產(chǎn)品在東芝四日市工廠開始生產(chǎn)，預(yù)計于2016年上半年完工的新工廠也將生產(chǎn)該產(chǎn)品。
注1：據(jù)東芝調(diào)查。
注2：一種在硅基板上垂直堆疊閃存存儲單元的結(jié)構(gòu)，相比平面NAND閃存（存儲單元位于硅基板上），極大地提高了密度。
注3：據(jù)2007年6月12日東芝發(fā)布資料
* BiCS FLASH™是東芝公司的商標(biāo)。
